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IXFK250N10P
IXFX250N10P
200
180
Fig. 7. Input Admittance
140
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
120
160
140
120
T J = 150oC
25oC
- 40oC
100
80
25oC
150oC
100
80
60
60
40
40
20
20
0
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
9
8
V DS = 50V
I D = 125A
I G = 10mA
250
200
150
7
6
5
4
100
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
100,000
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Cisss
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1,000
Coss
100
10
External Lead Limit
1ms
100
10
Crss
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
10ms
100ms
DC
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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